令余子贤兴奋的是，在蔡俊杰的研究资料里面看见了光刻技术工序工艺中，与最重要工艺的电子束曝光系统对应的微米级掩模的制造。
听着好像有点绕口、难懂，但是要说这种微米掩模技术的先进性，还得从掩模技术的发展说起。
芯片的生产流程图简单来说要经过ic设计、制版、芯片加工，封装、测试包装几大环节，如果简单地打个比方来说，如果比喻成一本书的印刷的话，就是：写作、排版、印刷、装订、检验、打包。
而前面说的掩模对应书本印刷里面的排版，只要排好版了，对着版面印刷，才能印出一本整齐漂亮的书。同理，在芯片加工之前，需要将设计好的芯片版图进行制版，只有以此为模板，进行芯片制造光刻，才能制造出裸晶，再这些裸晶中检测挑选出好的，最后芯片进行封装，才算是一颗可用的芯片。
再往细了说，就是光刻工艺是芯片制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。
在芯片制作过程的光刻工序，通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。
而光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版，简称光掩模版。
光掩制造技术是随着平面工艺的诞生逐渐发展起来的。
在1963年共和国就已经研制成功了平面晶体管和硅数字集成电路。这时候就是沿用的传统的照相术，首先在铜板纸上喷涂一层黑漆，然后用手术刀人工刻图、截图，采用大型照相机照相制成掩模板。
等到七十年到，共和国从曰本引进一批聚酯红膜刻图机和可在超微粒干版上曝光的e线分步重复曝光机，才算是摆脱人工进入了机械制造光掩模的能力；而八十年代，掩模技术设备再次更新换代，在建立满足自身光学掩模生产所需的铬板的同时，又利用中美蜜月期，引进了一批高精度光学制版设备，包括可变光阑式图形发生器，还有与之配套的gca公司的精缩机。此时共和国的掩模制版能力跨上了一个大台阶，也是光掩模技术制造业的鼎盛时期，最接近国际光掩模制造水平的高光时刻。
可喜随着进入90年代，国际进入亚微米集成电路和亚微米加工技术的实际应用，共和国的光刻技术以及光掩模技术再次到了设备高兴周期。
而此时，随着国际政治环境的变化，共和国引进之门被巴统禁运彻底关上。
蔡俊杰正开发的掩模技术直接影响着掩膜版的质量，而光掩模版的质量优劣不仅仅直接影响着光刻工艺的质量，还影响着半导体器件或集成电路的电学性能、可靠性和芯片成品率。
不如说佟若愚之前说的3微米工艺芯片的良率从59有希望提高到70以上，就是因为如此。
芯片成品率随着掩模版的缺陷密度的增大而按负指数关系急剧下降。据推算，若要达到95以上的成品率，掩模版的缺陷密度必须控制在每平方厘米0.175个以下。如果缺陷密度增大到每平方厘米1.25个，则成品率因缺陷的直接影响会下降到65以下。因此，根据佟若愚的说法，此时蔡俊杰的掩膜版技术应该是取得了突破。
而这个突破是余子贤非常看重的，就凭这个技术，这个厂子收购下来都值了，余子贤可不打算一直在3微米左右混。4英寸的晶圆最小可以加工1.2微米工艺的芯片。余子贤希望在收购回来的1-2年来达到这个标准。
共和国此时打算上马的908工程，因为各种原因，可是到98年才打到0.9微米的，国内其他合作项目也是在1995年才跨国1微米的门槛，进入到亚微米技术的。
只有领先才有饭吃，纵使做不了全球技术领先，但是可以引领国内技术的发展，为自己争取更多的话语权，这有这样，共和国电子工业才有崛起的希望！才能避免像前世一样，跟在别人后面一直在吃土！